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IXTH 88N30P IXTK 88N30P
IXTQ 88N30P IXTT 88N30P
280
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
240
200
160
120
9
8
7
6
5
4
V DS = 150V
I D = 44A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60 80 100 120
Q G - nanoCoulombs
140
160
180
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
C iss
100
R DS(on) Limit
100μs
T C = 25oC
25μs
1000
C oss
10
DC
1ms
10ms
100
f = 1MHz
C rss
1
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.00
0.10
0.01
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
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